820--《半導(dǎo)體物理》考試大綱
一、基本要求
《半導(dǎo)體物理》碩士研究生入學(xué)考試內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計(jì)算；考試命題注重測(cè)試考生對(duì)相關(guān)的物理基本概念的理解、對(duì)基本問題的分析和應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)物理概念的清晰和對(duì)半導(dǎo)體物理問題的綜合分析。
二、考試范圍
1、半導(dǎo)體中電子狀態(tài)
1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量
1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴
1.5回旋共振
1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)
2、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)
2.3缺陷、位錯(cuò)能級(jí)
3、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
3.1狀態(tài)密度
3.2費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
3.3本征半導(dǎo)體的載流子濃度
3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布
3.6簡并半導(dǎo)體
4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
4.1載流子的漂移運(yùn)動(dòng)遷移率
4.2載流子的散射
4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
4.5玻耳茲曼方程電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論
4.6強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)熱載流子
5、非平衡載流子
5.1非平衡載流子的注入和復(fù)合
5.2非平衡載流子的壽命
5.3準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
5.4復(fù)合理論
5.5陷阱效應(yīng)
5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
5.7載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛因斯坦關(guān)系式
5.8連續(xù)性方程
6、p-n結(jié)
6.1p-n結(jié)及其能帶圖
6.2p-n結(jié)電流電壓特性
6.3p-n結(jié)電容
6.4p-n結(jié)擊穿
7、金屬和半導(dǎo)體接觸
7.1金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖
7.2肖特基勢(shì)壘二極管
8、半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
8.1表面電場(chǎng)效應(yīng)
8.2理想MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性
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